特許
J-GLOBAL ID：200903071090592211

半導体装置の製造装置及びその製造方法

発明者：
今井 伸一

今井 伸一 について

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地割 信浩

地割 信浩 について

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二河 秀夫

二河 秀夫 について

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中川 聡

中川 聡 について

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松元 省二

松元 省二 について

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尾藤 陽二

尾藤 陽二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-393060
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217226
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 深いホール形成のためのエッチング時における突然のエッチストップを防止しうる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 チャンバーの下枠1a,石英ドーム2A,上部電極7,Oリング16等により反応室が形成されている。反応室内には、下部電極10と、下部電極10上の被加工物である基板9とが設置されている。石英ドーム2Aの温度は、ヒーター6によって180°C以上の温度に保たれるように制御されている。ガス導入口8より反応室内部にC2 F6 ガス,C4 F8 ガス等のフロロカーボン系ガスを導入し、第1高周波電源5によりアンテナコイル3に高周波電力を印加して、プラズマ17を生成し、基板9をエッチングする。石英ドーム2Aの温度を高温に加熱制御することで、壁面からの酸素の放出を妨げるデポ物の付着を妨げ、エッチストップを発生させるホール底のデポ物を酸素により除去する。
請求項（抜粋）：
ウエハ上の膜にエッチングを行なうための反応室と、上記反応室内にエッチング用ガスを導入するためのガス供給手段と、上記エッチング用ガスを高密度プラズマにするためのプラズマ発生手段とを備えた装置を用いて行なう半導体装置の製造方法であって、フロロカーボンプラズマ又はフロンプラズマによる反応室内のクリーニングを行なって、金属イオンがエッチストップが発生したときの濃度からエッチストップが発生しないときの濃度まで回復するまでに必要なクリーニングの所定時間を予め求めておき、半導体装置が形成されるウエハを上記反応室内に設置した状態で、上記反応室内にエッチング用ガスを導入する第1のステップと、上記プラズマ発生手段により反応室内にプラズマを発生させて、上記ウエハの一部にホールを形成するためのエッチングを行う第2のステップと、上記ホールの形成後に、さらに上記フロロカーボンプラズマ又はフロンプラズマによる反応室内のクリーニングを上記所定時間の間行なう第3のステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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