特許
J-GLOBAL ID：200903071109034959
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-104655
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297813
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 シャロー トレンチ アイソレーション法を用いることにより発生する窪み等による歩留りの低下を防止する。【解決手段】 シャロートレンチ形成工程にて、隣接する素子間を分離する凹陥部としてのシャロートレンチ6を基板1に形成する処理を行ない、次に、エッチングストッパー膜形成工程にて、シャロートレンチ6内に埋め込んだ堆積物を化学的機械的研磨する際のエッチングストッパー膜3を形成する処理を行ない、エッチングストッパー膜3をシャロートレンチ6の開口縁より拡径した位置に形成する。
請求項（抜粋）：
シャロートレンチと、エッチングストッパー膜とを有する半導体装置であって、前記シャロートレンチは、隣接する素子間を分離する凹陥部であり、前記エッチングストッパー膜は、前記シャロートレンチ内に埋め込んだ堆積物を化学的機械的研磨する際のエッチングストッパーとなる膜であり、前記シャロートレンチの開口縁より拡径した位置に形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/76
, H01L 21/304 622
H01L 21/76 L
, H01L 21/304 622 X
