特許

J-GLOBAL ID：200903071109540625

電界効果型トランジスタ

発明者： 板垣 奈穂 ,  岩崎 達哉 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-224309
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281409
出願日： 2006年08月21日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】 トランジスタに好適な組成の酸化物を提供する。【解決手段】 チャネルを構成する酸化物半導体材料が、InとZnを含んでおり、In/(In+Zn)で表される原子組成比率が、35原子%以上55原子%以下であり、且つ該酸化物半導体材料におけるGa/(In+Zn+Ga)で表される原子組成比率が30原子%以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】 図18

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタにおいて、 チャネルを構成する酸化物半導体材料が、InとZnを含んでおり、In/(In+Zn)で表される原子組成比率が、35原子%以上55原子%以下であり、且つ 該酸化物半導体材料におけるGa/(In+Zn+Ga)で表される原子組成比率が30原子%以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (1件)：

H01L29/78 618B

Fターム (24件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高性能フレキシブルTFT実現のためのアモルファス酸化物半導体の材料設計 Materials Design of Amorphou