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J-GLOBAL ID：200902297521921484   整理番号：05A0427597

高性能フレキシブルTFT実現のためのアモルファス酸化物半導体の材料設計

著者 (6件)： 野村研二 (JST-ERATO) ,  神谷利夫 (JST-ERATO) ,  太田裕道 (JST-ERATO) ,  高木章宏 (東京工大 応用セラミックス研) ,  平野正浩 (JST-ERATO) ,  細野秀雄 (JST-ERATO)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 2  ページ： 1024  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化物 ,...
準シソーラス用語： アモルファス ,...

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分類 (4件)： 電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L) ,  その他の光学的効果  (BM08040H) ,  光学スペクトル及び光散乱一般  (BM08050S) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  TFT ,  アモルファス ,  酸化物半導体 ,  材料設計