電界効果トランジスタおよびそれを用いた電力増幅器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060334
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256562
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】従来の電界効果トランジスタ(FET)では、小出力動作時と大出力動作時とでは入出力のインピダンスが変化していた。小出力動作時にも、大出力動作時にも入出力の整合を保持しながら、小出力動作時の消費電流を低減できるFETおよびそれを用いた電力増幅器を目的とする。【解決手段】活性層領域12と、ソース電極13と、活性層領域12を完全に横切る第1のゲート電極14と、第1のゲート電極14に平行に形成され、かつ活性層領域12を完全には横切らない第2のゲート電極15と、ドレイン電極16とを有するFETを電力増幅器として用い、第1と第2のゲート電極に印加する制御電圧により、大出力動作時には全てのチャンネルを動作させ、小出力動作時に一部のチャンネルのみを動作させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された活性層領域上にソース電極とドレイン電極がそれぞれ形成され、前記活性層領域を完全に横切る第1のゲート電極と、前記活性層領域を完全に横切らないで前記活性層領域内に存在する少なくとも1つ以上の第2のゲート電極とが前記ソース電極と前記ドレイン電極間に形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/80 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H03F 3/60

FI (4件)：

H01L 29/80 W , H03F 3/60 , H01L 27/08 102 C , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭52-058381
特開昭52-058381
特開平2-001177

全件表示

前のページに戻る