特許

J-GLOBAL ID：200903082716073043

半導体装置およびそれを用いた回路

発明者： 谷本 琢磨 ,  松本 秀俊 ,  大部 功 ,  中村 徹 ,  田中 聡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071489
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274347
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】高周波数、高出力時の性能向上が可能な双制御電極半導体装置と、それを用いた増幅回路を得る。【構成】キャリアの注入電極51と引出し電極52、第1および第2制御電極53,54を基板1上にもつ半導体装置の、第2制御電極54を受動素子を介して、直接またはパターンによりキャリア注入電極51に接続する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の所望領域に設けたキャリア注入部およびキャリア引出し部と、上記キャリアの注入部および引出し部間に設けたチャネル領域と、該チャネル領域を流れる電流を制御するために、チャネル領域の上部に設けた第1制御電極および第2制御電極を有する半導体装置において、上記第1および第2制御電極のうち、上記キャリア注入部に近い方を第1制御電極とするとき、上記第2制御電極が上記キャリア注入部の電極に直接電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/80 ,  H01L 27/095 ,  H03D 7/12 ,  H03K 19/0944

FI (4件)：

H01L 29/80 W ,  H03D 7/12 C ,  H01L 29/80 E ,  H03K 19/094 A