特許

J-GLOBAL ID：200903071112763040

半導体装置及びその製造方法

発明者： 前田 茂伸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117770
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307112
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 MOSFETの動作の安定性を確保しつつ、動作の高速化及び消費電力の低減を実現し得る半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】 半導体装置は、第1導電型のシリコン領域1と、シリコン領域1の内部に埋め込み層として形成されたポーラスシリコン層2と、シリコン領域1の上面内に選択的に形成された、上記第1導電型とは異なる第2導電型のソース領域3a及びドレイン領域4aとを備えている。ソース領域3a及びドレイン領域4aの底面は、ポーラスシリコン層2の上面に近接してポーラスシリコン層2の上面よりも上方に位置している。その結果、シリコン領域1とソース領域3a及びドレイン領域4aの底面とのpn接合部分に生じる空乏層8は、ポーラスシリコン層2内に達している。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された多孔質層と、前記多孔質層上に形成された半導体層と、前記半導体層内に形成された半導体素子とを備える半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 102 B

Fターム (21件)：

5F040DA12 ,  5F040DA27 ,  5F040DC01 ,  5F040EB11 ,  5F040EF01 ,  5F040EK05 ,  5F040EM01 ,  5F040EM03 ,  5F040FC00 ,  5F040FC01 ,  5F040FC03 ,  5F040FC05 ,  5F040FC11 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA09 ,  5F048BA12 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BG14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 横型高耐圧素子を有する半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-148947   出願人：三菱電機株式会社