特許
J-GLOBAL ID：200903071113997559

半導体装置およびその製造方法

発明者：
村田 昌樹

村田 昌樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-304728
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124164
出願日： 2006年11月10日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】有機FETにおけるチャネル層の熱的安定性、耐久性を高め、さらに電荷移動を効率よく発生させることを可能とする。【解決手段】ゲート絶縁膜12を介してゲート電極11とチャネル層13とが形成され、該チャネル層13の両側に電極(ソース電極14、ドレイン電極15)が形成された半導体装置1であって、前記チャネル層13は、金属イオンに配位できる置換基を連結するπ共役を持つ配位子もしくはσ共役を持つ配位子と前記金属イオンとの錯形成反応により得た共役高分子錯体からなり、前記チャネル層13の終端において前記電極と化学結合を形成する置換基を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜を介してゲート電極とチャネル層とが形成され、該チャネル層の両側に電極が形成された半導体装置であって、 前記チャネル層は、 金属イオンに配位できる置換基を連結するπ共役を持つ配位子もしくはσ共役を持つ配位子と前記金属イオンとの錯形成反応により得た共役高分子錯体からなり、 前記チャネル層の終端において前記電極と化学結合を形成する置換基を有する ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250F ,  H01L29/28 310J
Fターム (18件)：
5F110AA01 ,  5F110AA26 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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