特許

J-GLOBAL ID：200903078612725947

ソース電極とドレイン電極間の空隙を自己組織化多層膜で処理したナノスケール電界効果素子及びその製造方法

発明者： 石田 敬雄 ,  堀川 昌代 ,  中野 美紀 ,  三宅 晃司 ,  内藤 泰久 ,  水谷 亘
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-048833
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243748
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 信号が室温で特定電界でのみ応答するナノメートルスケール電界効果素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に設けられ、ナノメートルスケールで作成されたソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電界効果素子において、ソース電極とドレイン電極間を結ぶ半導体基板上の空間を、一般式HOOC(CH2)nSH(式中、nは3〜30の整数である。)で表わされるカルボキシチオールと金属の化合物である金属チオレートを積層して作製した膜で被覆したナノメートルスケール電界効果素子及びその製造方法。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられ、ナノメートルスケールで作成されたソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電界効果素子において、ソース電極とドレイン電極間を結ぶ半導体基板上の空間を、一般式HOOC(CH2)nSH(式中、nは3〜30の整数である。)で表わされるカルボキシチオールと金属によってできる化合物である金属チオレートを積層して作製した膜で被覆したナノメートルスケール電界効果素子。

IPC (5件)：

H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L29/80 ,  H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/66 S ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/28 ,  H01L29/80 A

Fターム (18件)：

5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK10 ,  5F102GL03 ,  5F102GM02 ,  5F102GT01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110HK02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単一電子素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-154041   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 単一電子素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-154041   出願人：日本電気株式会社
• シリコンナノパーティクルのパターニング方法及びこの方法に用いる有機分子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-159710   出願人：科学技術振興事業団
• 単一電子トンネル素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-158695   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Self-Assembled Multilayers of omega-Mercaptoalkanoic Acids: Selective Ionic Interactions