特許
J-GLOBAL ID：200903071116990083
Si3N4成膜装置のクリーニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101998
公開番号（公開出願番号）：特開2000-297377
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 Si3N4成膜装置の反応器、配管等そのものを損傷させることなく反応器内に堆積したSi3N4および排気配管内に堆積したSiまたはSi系化合物を含有したNH4Clのクリーニング方法を提供する。【解決手段】 排気系配管内に堆積したSiまたはSi系化合物を含有したNH4ClをClF3で反応除去する。また、排気系配管内を先にClF3で反応除去した後、反応器内に堆積したSi3N4をClF3で反応除去する。
請求項（抜粋）：
Si3N4膜を製造する装置において、排気系配管内に堆積したSiまたはSi系化合物を含有したNH4ClをClF3で反応除去することを特徴とするSi3N4成膜装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
C23C 16/44
, B08B 9/093
, C09K 13/08
C23C 16/44 J
, B08B 9/093
, C09K 13/08
3B116AA13
, 3B116AA47
, 3B116AB51
, 3B116BB01
, 4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA40
, 4K030DA06
, 4K030EA11
, 4K030FA10
