特許

J-GLOBAL ID：200903071178565540

半導体粒子検出器およびその製造方法

発明者： ピエロ ジョルジョ ファッリカ
出願人/特許権者： チーオー.エーレイー.エンメ.エンメエー. コンソルツィオ ペル ラ リチェルカ スッラ ミクロエレットロニカ ネル メッツォジョルノ
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039997
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023020
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 大規模な製造に適した構造で、位置検出器としても動作可能な半導体粒子検出器を提供する。【解決手段】 粒子検出器は、第1の型の伝導性(N)の第1および第2の層22,23と、第1および第2の層の間に挿入された第2の型の伝導性(P)の第3の層21と、第3の層との接合部の表面と反対の表面に配置され、第1および第2の層と電気的に接続する第1および第2の手段25,31;26,32と、第3の層と電気的に接続する手段27,24とからなる半導体材料20のダイ上に形成される。大規模な工業的製造を可能にするために、第3の層と電気的に接続する手段は、ダイの前面から第3の層ま延びる第2の型の伝導性(P)の領域24と、この領域と表面が電気的に接触する手段27とからなる。

請求項（抜粋）：

第1の型の伝導性(N)の第1の層(22)と、第1の型の伝導性(N)の第2の層(23)と、前記第1の層と第2の層との間に挿入されダイ(20)の端部から所定の間隔で横方向に延びる第2の型の伝導性(P)の第3の層(21)と、前記第1の層(22)および第2の層(23)の上にそれぞれ配置された第1の層および第2の層と電気的に接続する第1の電気接続手段(25,31) および第2の電気接続手段(26,32) と、前記第3の層(21)と電気的に接続する第3の電気接続手段(27,24) とからなる半導体材料のダイ(20)に形成された粒子検出器において、前記第3の電気接続手段が、ダイの前面から前記第3の層(21)まで延びる第2の型の伝導性(P)の領域(24)と、この領域(24)と表面が電気的に接触する電気接触手段(27)とから構成されるていることを特徴とする粒子検出器。

IPC (2件)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24

FI (2件)：

H01L 31/00 A ,  G01T 1/24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-091269   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭64-037879
  
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099139   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開昭61-075569