特許

J-GLOBAL ID：200903071182375128

静電誘導半導体装置

発明者： 村上 善則 ,  三原 輝儀
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231007
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048117
出願日： 1991年08月19日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 素速いターンオフが可能で、しかも遮断時において過大なドレイン電圧からゲート絶縁膜を保護することの可能な静電誘導半導体装置を提供する。【構成】 静電誘導半導体装置のドレイン領域11の表面に、ゲート絶縁膜14に接する不純物濃度の高い第二導電型の半導体からなるコンタクト領域18を形成し、ソース領域17およびコンタクト領域18をそれぞれ前記ソース電極19に共通に接続した。あるいは、前記ドレイン領域11の少なくとも一部をソース電極19に直接接触させてこれらの接触面にショットキー接合25を形成した。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体からなるドレイン領域と、このドレイン領域の表面にU字形に掘り込まれた溝に埋設された絶縁ゲートと、前記ドレイン領域の表面に形成されソース電極とオーミック接続された第一導電型のソース領域とを備えた静電誘導半導体装置において、前記ドレイン領域の表面に形成され、前記絶縁ゲートの絶縁膜に接し、前記ソース電極とオーミック接続された第二導電型のコンタクト領域を備えたことを特徴とする静電誘導半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-292770
  
• 絶縁ゲート型サイリスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-213226   出願人：株式会社東芝