特許
J-GLOBAL ID：200903071193164587

不揮発性半導体装置

発明者：
和辻 行広

和辻 行広 について

, 
丸山 明

丸山 明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160076
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068688
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 電子の放出動作、例えば消去動作によって生ずるメモリートランジスタのしきい値電圧のばらつきを適正な範囲に収めるとともに、消去時間の最適化を図ることできる不揮発性半導体装置を提供すること。【構成】 本発明によれば、電位差設定部30により、メモリートランジスタ1a〜1dのコントロールゲート電極とソース電極との間に所定の電位差を印加することにより消去動作を行うことができる。また、ベリファイ回路8により、メモリートランジスタ1a〜1dのしきい値電圧を検出することによりベリファイ動作を行うこともできる。この場合、電位差設定部30は、ベリファイ回路8からのDetect信号に基づいて、即ちメモリートランジスタのしきい値電圧に応じて、電位差の印加時間または電位差の大きさを制御することができる。これにより、過剰消去を有効に防止できると共に、消去時間の最適化を図ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
フローティングゲート電極と、コントロールゲート電極と、第1、第2の拡散層とを備え、前記フローティングゲート電極に対する電子の注入・放出動作によりデータの記憶を行うメモリートランジスタを含んで構成される不揮発性半導体装置であって、電子の放出動作時に前記コントロールゲート電極と前記第1の拡散層との間に所定の電位差を設定する電位差設定手段と、電子の放出動作後しきい値電圧をモニタするベリファイ動作時に前記メモリートランジスタのしきい値電圧を検出するベリファイ動作手段とを含み、前記電位差設定手段は、前記ベリファイ動作手段により検出されたしきい値電圧の検出結果に基づいて電位差の印加時間を制御することを特徴とする不揮発性半導体装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 C ,  G11C 17/00 309 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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