特許
J-GLOBAL ID：200903071198398489

ショットキーバリア半導体装置およびその製法

発明者：
四方 秀明

四方 秀明 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228456
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058876
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 逆方向のリーク電流を小さくしながら順方向電圧が低い、省電力で低電圧駆動が可能なショットキーバリア半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】 n+ 形である高不純物濃度の第1導電形の半導体基板1上にn-形である低不純物濃度の第1導電形の半導体層2がエピタキシャル成長され、その半導体層2の表面側に少なくとも2以上の領域に亘り、p+ 形である第2導電形の半導体領域6が隣接して設けられ、半導体層2の動作領域の表面にショットキーバリアを形成する金属層3が設けられている。そして、前記隣接する第2導電形の半導体領域6が形成されないで動作領域となる第1導電形の半導体層2の半導体基板1側に第1導電形の高不純物濃度の埋込領域7が形成されている。
請求項（抜粋）：
高不純物濃度の第1導電形の半導体基板と、該半導体基板上にエピタキシャル成長される低不純物濃度の第1導電形の半導体層と、該半導体層の表面側に少なくとも2以上の領域に亘り隣接して設けられる第2の導電形の半導体領域と、前記半導体層および前記第2導電型の半導体領域の表面に設けられるショットキーバリアを形成する金属層とからなり、前記第2導電形の半導体領域が形成されないで動作領域となる第1導電形の半導体層の前記半導体基板側に第1導電形の高不純物濃度の埋込領域が形成されてなるショットキーバリア半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P
Fターム (7件)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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