特許
J-GLOBAL ID：200903071203069480
同期型半導体記憶装置及びその動作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308670
公開番号（公開出願番号）：特開2004-145956
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】オートリフレッシュサイクル時間の高速化を実現できる同期型半導体記憶装置及びその動作方法を提供することを目的としている。【解決手段】オートリフレッシュコマンドREFの設定を、第1コマンドの入力タイミングにおける複数の制御ピン(チップセレクト信号/CS、ファンクション信号FN、パワーダウン信号/PD)の論理レベルの組み合わせのみによって決定することを特徴としている。第1コマンドの時点でオートリフレッシュコマンドが成立するようにリフレッシュコマンド体系を見直したので、オートリフレッシュサイクル時間の高速化を実現できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ダイナミック型メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
外部クロック信号に同期し、第1コマンドの入力タイミングと1サイクル後の第2コマンドの入力タイミングにおける複数の制御ピンの論理レベルの組み合わせによって設定される複数のコマンドをデコードするコマンドデコーダとを具備し、
前記コマンドデコーダは、リード動作の判定を行う第1のデコード部と、ライト動作の判定を行う第2のデコード部と、オートリフレッシュ動作の判定を行う第3のデコード部とを備え、
オートリフレッシュコマンドの設定を、第1コマンドの入力タイミングにおける前記複数の制御ピンの論理レベルの組み合わせのみによって決定することを特徴とする同期型半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C11/406
, G11C11/403
, G11C11/407
G11C11/34 363N
, G11C11/34 362S
, G11C11/34 363M
5M024AA49
, 5M024AA50
, 5M024BB22
, 5M024BB27
, 5M024BB28
, 5M024BB37
, 5M024BB39
, 5M024BB40
, 5M024DD39
, 5M024DD83
, 5M024DD85
, 5M024EE02
, 5M024EE05
, 5M024EE12
, 5M024EE13
, 5M024GG01
, 5M024JJ03
, 5M024JJ20
, 5M024JJ30
, 5M024JJ32
, 5M024JJ52
, 5M024JJ59
, 5M024LL01
, 5M024PP01
, 5M024PP02
, 5M024PP07
, 5M024PP10
