特許
J-GLOBAL ID：200903071203530064
無転位シリコン単結晶の製造方法および無転位シリコン単結晶インゴット
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080449
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335197
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：
【要約】【課題】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造工程において、テール部の形成を省略あるいは短縮することにより歩留を向上させ、同時に結晶製造工程の作業負荷を軽減する無転位シリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 育成中のシリコン単結晶Sを融液Mにつけ込み、その後、シリコン単結晶Sを無転位状態のまま融液Mから切り離すことを特徴とする無転位シリコン単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、育成中のシリコン単結晶を融液につけ込み、その後、当該シリコン単結晶を融液から切り離すことを特徴とする無転位シリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 502 Z
