特許

J-GLOBAL ID：200903071211468050

プラズマ処理方法

発明者： 野上 裕
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319358
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153712
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 ヘリコン波プラズマ源を用いたプラズマ処理方法で、プロセスガスにおける過度の解離を抑制し、シリコンに対する選択比を高くする。【構成】 高周波電源17からヘリコン波プラズマ源のアンテナを経由してソースチャンバ11にソース電力が供給され、放電作用で生成されたプラズマによって基板14に対して処理が行われる方法において、電子密度または飽和イオン電流密度のソース電力依存特性で不連続な部分に対応するソース電力値以下の低い値のソース電力でプラズマ処理が行われる。

請求項（抜粋）：

ヘリコン波プラズマ源を利用してプラズマを生成するプラズマ処理方法において、ソース電力に対する電子密度または飽和イオン電流密度の変化特性で不連続に変化する部分に対応するソース電力値以下の値のソース電力でプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-247638   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037640   出願人：日電アネルバ株式会社, 庄司多津男
• 特開平4-160162