ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-266012
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103957
出願日： 2002年09月11日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】Siに替わって、透明酸化物半導体であるZnOを用いて、電界効果型トランジスタを作製する試みがなされている。しかし、ZnOは、電気伝導度を小さくすることが難しく、ノーマリーオフの電界効果型トランジスタを構成できないなどの欠点がある。また、アモルファス状態を作り難いので、大面積に適したアモルファストランジスタを作製することができない。【解決手段】反応性固相エピタキシャル法により製造したホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, 又はAl, m=1以上50未満の整数)単結晶薄膜は化学量論組成からのずれが極めて小さく、室温付近では良質な絶縁体であり、ホモロガス化合物単結晶InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, 又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることにより、ノーマリーオフ作動で、スイッチング特性の良い透明薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga ,又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L21/363

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L21/363

Fターム (19件)：

5F103AA10 , 5F103DD01 , 5F103GG03 , 5F103LL07 , 5F110AA06 , 5F110AA24 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110FF01 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG41

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