特許
J-GLOBAL ID：200903071222469724
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199897
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028420
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 微小な半導体装置の封止体を比較的容易に低コストで形成する。【解決手段】 アイランドに固定した半導体素子とリードとを接続し封止体によって封止した半導体装置の外部端子となるアイランド或いはリードが封止体底面にて露出させ、このアイランド或いはリードの側面と前記封止体の側面とを同一平面に構成し、アイランド或いはリードの下面部内方に凹部を設ける。個々の半導体装置に用いられるアイランド或いはリードの組を複数組一体に形成し、前記アイランド或いはリードの下面部内方に凹部が設けられたリードフレームに、複数の半導体素子のダイボンディングを行なう工程と、前記夫々の半導体素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、複数の半導体素子を列毎に一つのキャビティとして一体に封止体をモールドする工程と、前記キャビティ及びリードフレームを切断し、個別の半導体装置に分離する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
アイランドに固定した半導体素子とリードとを接続し封止体によって封止した半導体装置において、半導体装置の外部端子となるアイランド或いはリードが封止体底面にて露出し、このアイランド或いはリードの側面と前記封止体の側面とが同一平面を構成し、アイランド或いはリードの下面部内方に凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, H01L 23/12
, H01L 23/28
H01L 23/50 R
, H01L 23/28 A
, H01L 23/12 L
4M109AA02
, 4M109BA02
, 4M109CA21
, 4M109DB15
, 4M109FA04
, 5F067AA01
, 5F067AB04
, 5F067BA00
, 5F067BB01
, 5F067BE01
, 5F067DE01
, 5F067DE04
, 5F067DF03
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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