特許
J-GLOBAL ID:200903071228561967

チョクラルスキー処理の充填におけるポリクリスタルチャンクサイズ及び分布を測定する方法及びシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-579813
公開番号(公開出願番号):特表2002-529349
出願日: 1999年10月22日
公開日(公表日): 2002年09月10日
要約:
【要約】チョクラルスキーシリコン成長処理と共に利用する、ポリクリスタルシリコンチャンクサイズ判定方法及びシステムが、測定背景上に設置される。カメラは、チャンクの画像をとらえる。画像プロセッサは画像を処理し、とらえた画像を基にしてチャンクの大きさを判定する。チャンクに関連するサイズパラメータが判定される。
請求項(抜粋):
チョクラルスキーシリコン成長処理と共に利用する、ポリクリスタルシリコンチャンクサイズ判定方法であって、 ポリクリスタルシリコンチャンクとの間の画像コントラストをもたらす測定背景の上に、1つ又は複数のポリクリスタルシリコンチャンクを配置する工程と、 形成される画像の光学特性を示す数値を各々が有する画素を複数有する、カメラによる測定背景上のポリクリスタルシリコンチャンクの画像を、形成する工程と、 画像内の縁を検出するため、画素の数値の関数として画像を処理する工程と、 ポリクリスタルシリコンチャンクに対応する画像の1つ又は複数のオブジェクトを定義するため、検出された縁を分類する工程と、 各々の定義されるオブジェクトの大きさを決定する工程と、 定義されるオブジェクトの決定される大きさの関数として、測定背景上のポリクリスタルシリコンチャンクに関連するサイズパラメータを決定する工程とを含む、 ポリクリスタルシリコンチャンクサイズ判定方法。
IPC (2件):
C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502
FI (2件):
C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502 A
Fターム (10件):
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF07 ,  4G077CF10 ,  4G077EC01 ,  4G077EC05 ,  4G077EH10 ,  4G077HA12 ,  4G077PB09 ,  4G077PB16
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 回転式シリコン・スクリーン
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-091827   出願人:ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション
  • 結晶性物体の分級・選別
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-015663   出願人:ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

前のページに戻る