特許
J-GLOBAL ID：200903071252588922
メッキ成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004160
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204498
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】 容易にメッキ層の厚みを検知することの可能なメッキ成長装置を提供する。【解決手段】 メッキ成長装置100は,ウエハ113のレジスト111が形成されたメッキ層119に光117を照射する光源121と,メッキ層に照射された光117のうちメッキ層により反射された光を検出可能な位置に配された光検出器123とを備えている。ウエハは,メッキ液を入れたメッキ槽115の所定の位置に配されている。光源は,ウエハに十分小さい角度,例えば10度程度の入射角をもって光が入射するよう配されている。メッキ層の厚みを光検出器による反射光検出の有無でメッキ成長中に判定できるようにしたので,あらかじめ成長レートを求めるためのチェック用ウエハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工程を省略することが可能である。
請求項（抜粋）：
メッキ成長装置において:基板上に形成されたメッキ層に対し光を照射する光源と;前記メッキ層に照射された光のうち前記メッキ層により反射された光を検出可能な位置に配された光検出器と;を備えたことを特徴とする,メッキ成長装置。
IPC (5件)：
C25D 7/12
, C23C 18/16
, C25D 21/12
, H01L 21/288
, H01L 21/3205
C25D 7/12
, C23C 18/16 B
, C25D 21/12 C
, H01L 21/288 E
, H01L 21/288 Z
, H01L 21/88 B
4K022DB29
, 4K024BB12
, 4K024CB24
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104HH20
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033XX33
, 5F033XX35
