薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-110682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283695
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタの特性が製造プロセス変動より受ける影響を小さくし、歩留りの向上,品毎のばらつきを抑え、品質向上をねらう。【構成】ゲート電極をゲート配線から引き出して構成するもの、もしくはゲート配線自体をゲート電極として使うものにかかわらず、ゲート電極1に直交し、かつゲート電極1からはみ出したソース電極3を配置し、その左右にチャネルをはさんでソース電極3と同一層でゲート電極1に直交し、かつゲート電極1からはみ出したドレイン電極2を配置した構造の薄膜トランジスタとすることにより、ゲート電極1に対してソース電極3,ドレイン電極2が限度内でいかにずれても、特性には影響が現れず、かつ、TFTとして動作が保証されるため、歩留りが向上し、さらに品物毎のばらつきも抑えられる。

請求項（抜粋）：

ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有するMIS型薄膜トランジスタであって、ソース電極は、ゲート電極に対し直交し、かつゲート電極からはみ出して長く配置されたものであり、ドレイン電極は、ソース電極の両側にソース電極と同層でゲート電極と直交し、かつゲート電極からはみ出して長く配置されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-267617
特開平1-243033
特開昭61-245136

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