特許

J-GLOBAL ID：200903071279833139

薄膜形成装置

発明者： 田中 雅彦 ,  石橋 啓次 ,  熊谷 晃
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011857
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212736
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】 真空容器内が隔壁板によってプラズマ放電空間と成膜処理空間とに分離されており、当該隔壁板は内部に前記プラズマ放電空間と隔離されかつ成膜処理空間と複数個の拡散孔を介して通じている第一の内部空間を有していると共に、前記プラズマ放電空間と成膜処理空間とを貫通する複数個の貫通孔を有しているものであって、前記プラズマ放電空間にガスを導入してプラズマによりラジカルを発生させ、このラジカルを前記隔壁板の複数個の貫通孔を通して前記成膜処理空間に導入すると共に、前記成膜処理空間に材料ガスを直接導入し、成膜処理空間において前記導入されたラジカルと材料ガスを反応させ、成膜処理空間に配置されている基板上に成膜を行う薄膜形成装置であって、隔壁板を温調する機能が具備されている薄膜形成装置を提案する。【解決手段】 真空容器を二室に隔離している隔壁板を、積層された複数枚の板体が相互にその接触面で接合されて形成されていると共に、温度調節手段を備えている構成にすることによって課題を解決した。

請求項（抜粋）：

真空容器内が隔壁板によってプラズマ放電空間と成膜処理空間とに分離されており、当該隔壁板は内部に前記プラズマ放電空間と隔離されかつ成膜処理空間と複数個の拡散孔を介して通じている第一の内部空間を有していると共に、前記プラズマ放電空間と成膜処理空間とを貫通する複数個の貫通孔を有しているものであって、前記プラズマ放電空間にガスを導入してプラズマによりラジカルを発生させ、このラジカルを前記隔壁板の複数個の貫通孔を通して前記成膜処理空間に導入すると共に、前記成膜処理空間に材料ガスを直接導入し、成膜処理空間において前記導入されたラジカルと材料ガスを反応させ、成膜処理空間に配置されている基板上に成膜を行う装置において、前記隔壁板は、積層された複数枚の板体が相互にその接触面で接合されて形成されていると共に、温度調節手段を備えていることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31 C

Fターム (21件)：

4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030KA12 ,  4K030KA25 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AF07 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EK05 ,  5F045EK10 ,  5F045EK27 ,  5F045GB05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ガス噴射ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049676   出願人：株式会社荏原製作所
• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-157692   出願人：アネルバ株式会社