特許
J-GLOBAL ID:200903071287166605

メモリー素子の電力管理方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-300729
公開番号(公開出願番号):特開2002-189628
出願日: 2001年09月28日
公開日(公表日): 2002年07月05日
要約:
【要約】【課題】 高性能を維持しながらメモリー素子の電力管理を行う方法を提供する。【解決手段】 メモリーデバイスに起動コマンドを発行する方法は、メモリーデバイスに起動コマンドを発行するステップを含む。ある時間期間内に発行される起動コマンドの数がカウントされる。ある時間期間内に発行される起動コマンド数がしきい値を越えるかどうかの判定が行われる。ある時間期間内に発行される起動コマンド数がしきい値を越えていれば、起動コマンドの発行速度が引き下げられる。
請求項(抜粋):
メモリーデバイスへの起動コマンド発行方法であって、前記メモリーデバイスへ前記起動コマンドを発行するステップと、ある時間期間内に発行される前記起動コマンド数をカウントするステップと、前記ある時間期間内に発行される前記起動コマンド数がしきい値を越えるかどうかを判定するステップと、発行される前記起動コマンド数が前記ある時間期間内に前記しきい値を越えていれば、発行される前記起動コマンドの速度を引き下げるステップとを含む方法。
IPC (3件):
G06F 12/00 550 ,  G06F 12/00 564 ,  G06F 12/16
FI (3件):
G06F 12/00 550 E ,  G06F 12/00 564 C ,  G06F 12/16 A
Fターム (4件):
5B018GA04 ,  5B018HA31 ,  5B018NA02 ,  5B060CC03
引用特許:
審査官引用 (4件)
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