特許

J-GLOBAL ID：200903071312284987

高電気比抵抗磁性薄膜

発明者： 大沼 繁弘 ,  三谷 誠司 ,  増本 健 ,  藤森 啓安
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088565
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250330
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、Co,AlおよびOよりなる磁性薄膜およびそれを基本膜とする多層膜に関するもので、その目的とするところは、高い電気比抵抗を有し、室温で3%以上の大きな磁気抵抗効果を示し、且つ優れた磁場依存性を示す良好な磁性薄膜を得ることにあり、さらにこの磁性薄膜を用いたMRヘッドおよびMRセンサーを提供しようとするものである。【構成】一般式Co<SB>100</SB>-x-yAlxOyで表わされ、その組成比xおよびyは、原子比で10<x<30,20<y<50で、且つ30<x+y<70である組成と少量の不純物からなり、室温で3%以上の磁気抵抗効果を有することを特徴とする高電気比抵抗磁性薄膜。

請求項（抜粋）：

一般式Co<SB>100</SB>-x-yAlxOyで表わされ、その組成比xおよびyは、原子比で10<x<30,20<y<50で、且つ30<x+y<70である組成と少量の不純物からなり、室温で3%以上の磁気抵抗効果を有することを特徴とする高電気比抵抗磁性薄膜。