特許

J-GLOBAL ID：200903071314669819

薄膜状絶縁膜およびその形成方法並びにその形成装置

発明者： 加藤 重雄 ,  武田 英次 ,  鳥居 和功
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022383
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236826
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 誘電率が高く、しかも耐圧が高く絶縁性が優れた超格子構造の薄膜絶縁膜、及びこの薄膜絶縁膜を1分子層レベルで精密に形成して製造する装置を提供する。【構成】 強誘電体A及び強誘電体Bは、いずれも2ないし10原子層ずつ交互に積層成長されて超格子構造をとり、絶縁膜を形成する。この超格子構造絶縁膜を形成する製造装置は、成長容器701、ヒーター702、基板703等からなり、成長容器701には大容量弁709と流量制御弁710を介して真空容器708が接続し、真空ポンプ711により、真空に引かれる。この状態で、超格子構造絶縁膜が形成される。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の薄膜は強誘電体薄膜とし、この膜を含む複数の薄膜を1層ないし10層づつ交互に積層して超格子構造としたことを特徴とする薄膜状絶縁膜。

IPC (4件)：

H01G 4/06 102 ,  C01B 13/14 ,  H01G 4/20 ,  H01L 27/04