成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179743
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023043
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】ALD法を用いてバッチ式処理により成膜作業を行う際に、良質な化合物膜を効率よく、かつ容易に成膜できる成膜方法を提供する。【解決手段】ALD法を用いてバッチ式処理により複数枚のウェーハ23の表面上に一括してTa2O2膜28を成膜する成膜処理が行われる処理室11内に、各ウェーハ23をそれらの表面を互いに離間させて配置した後、処理室11内にArガスを供給して処理室11内をパージするとともに、処理室11内の雰囲気を加熱して、室内圧力を約0.6Torrに、室内温度を約280°Cにそれぞれ保持する。各ウェーハ23に向けてArガスを供給し続けるとともに、H2Oガスを各ウェーハ23の表面上に供給する。H2Oガスの供給を断った後、各ウェーハ23に向けてArガスを供給し続けるとともに、PETガスを各ウェーハ23の表面上に供給することにより、各ウェーハ23の表面上にTa2O2膜28を成膜する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数枚の被処理基板の表面上に化合物膜を原子層レベルで一括して成膜する成膜方法であって、前記成膜処理が行われる反応容器内に前記各被処理基板を互いに離間させて厚さ方向に沿って平行に配置する第1の工程と、隣接する前記各被処理基板間に向けて、前記反応容器内に所定のガスを供給する複数本のガス供給治具のうち、成膜反応を活性化させる活性化ガスを供給する活性化ガス供給治具から前記活性化ガスを供給するとともに、他のガス供給治具からパージガスを供給する第2の工程と、前記活性化ガス供給治具から供給するガスを前記活性化ガスから前記パージガスに切り替えるとともに、他のガス供給治具から前記パージガスを供給する第3の工程と、隣接する前記各被処理基板間に向けて、成膜すべき化合物膜の主な原料となる原料ガスを供給する原料ガス供給治具から前記原料ガスを供給するとともに、他のガス供給治具から前記パージガスを供給する第4の工程と、前記原料ガス供給治具から供給するガスを前記原料ガスから前記パージガスに切り替えるとともに、他のガス供給治具から前記パージガスを供給する第5の工程と、を含み、かつ、前記第2の工程から前記第5の工程を複数回繰り返すことを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/54 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108

FI (5件)：

H01L21/316 X , C23C16/455 , C23C16/54 , H01L21/31 B , H01L27/10 651

Fターム (39件)：

4K030EA03 , 4K030HA01 , 4K030LA11 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC14 , 5F045AC16 , 5F045CA05 , 5F045DP15 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EE13 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF31 , 5F058BF80 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BJ10 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083JA14 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-179710
基板処埋装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-104011 出願人：株式会社日立国際電気
特開平1-179710

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