特許

J-GLOBAL ID：200903018179918120

基板処埋装置

発明者： 紺谷 忠司 ,  豊田 一行 ,  佐藤 武敏 ,  加賀谷 徹 ,  嶋 信人 ,  石丸 信雄 ,  境 正憲 ,  奥田 和幸 ,  八木 泰志 ,  渡辺 誠治 ,  国井 泰夫
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297818
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。【解決手段】 反応管6内に、同一開口面積のバッファ室孔3を有するバッファ室17を設け、その内部にガスの上流側より下流側へ向かって開口面積が大きくなるガスノズル孔4を有するガスノズル2を配設し、ガスノズル2より噴出するガスを、一旦バッファ室17内に導入し、ガスの流速の差を均一化した後、バッファ室孔3よりウェーハ7へ供給する。

請求項（抜粋）：

積層配置された基板を収納する反応室と、前記反応室に基板の積層配置方向に沿って設けられた、基板処理用のガスを導入するためのガス導入部と、基板の積層配置方向に沿って設けられた複数のガス供給口を有し、前記ガス導入部から導入される処理用ガスを前記複数のガス供給口から供給するようにしたバッファ室とを備えたことを特徴とする基板処埋装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455

Fターム (27件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF13 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体ウエハーのプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081392   出願人：東京エレクトロン東北株式会社
• 半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-133277   出願人：国際電気株式会社
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-294283   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-217875   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開昭62-245626