半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098494
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299610
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】ダマシンゲート型MISトランジスタにおいて、ゲート絶縁膜の特性劣化を招くことなく、ゲート電極の仕事関数を調整すること。【解決手段】ゲート絶縁膜9に達しない条件で、ゲート電極であるTiN膜10中にインジウムイオンを注入し、TiN膜10中にInイオン注入層12を形成する。次に熱処理によりInイオン注入層12中のインジウムを拡散させ、TiN膜10のゲート絶縁膜9との界面付近にIn析出層13を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極とを具備してなり、前記電極はその下面を含む1の領域およびこの第1の領域上に形成された第2の領域を有し、前記第1の領域が所定の物質から形成され、前記第2の領域が金属、または金属と窒素を含む金属化合物から形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/41 , H01L 29/43 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (9件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 W , H01L 27/08 321 D , H01L 29/44 C , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 617 K , H01L 29/78 617 M

Fターム (133件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD17 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD63 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD82 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG19 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F048AA01 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BB14 , 5F048BB15 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA27 , 5F110AA08 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE12 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110NN03 , 5F110NN24 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AA19 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BC06 , 5F140BC17 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BF37 , 5F140BF38 , 5F140BF40 , 5F140BF45 , 5F140BG03 , 5F140BG04 , 5F140BG05 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG31 , 5F140BG32 , 5F140BG33 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE02 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-124405 出願人：株式会社東芝

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