半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124405
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315789
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】ダマシンゲート技術等を用いてゲート電極を作製する場合に、半導体装置の微細化等を可能にする。【解決手段】ゲート電極を形成する工程が、N型及びP型MISトランジスタ領域の凹部内に第1の金属含有膜113を形成する工程と、P型MISトランジスタ領域に形成された第1の金属含有膜を除去する工程と、N型MISトランジスタ領域に残置した第1の金属含有膜上及びP型MISトランジスタ領域のゲート絶縁膜112上に第2の金属含有膜115を形成する工程とからなり、N型MISトランジスタのゲート絶縁膜に接する金属含有膜の仕事関数がP型MISトランジスタのゲート絶縁膜に接する金属含有膜の仕事関数よりも小さい。

請求項（抜粋）：

N型MISトランジスタ及びP型MISトランジスタそれぞれのゲート電極が半導体基板に形成された凹部内にゲート絶縁膜を介して形成されている半導体装置であって、N型MISトランジスタ及びP型MISトランジスタの少なくとも一方のゲート電極は複数の金属含有膜の積層構造によって構成され、かつN型MISトランジスタのゲート絶縁膜に接する金属含有膜の少なくともゲート絶縁膜に接する部分の仕事関数がP型MISトランジスタのゲート絶縁膜に接する金属含有膜の少なくともゲート絶縁膜に接する部分の仕事関数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D , H01L 29/62 G

Fターム (39件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F040DA00 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC04 , 5F040EC08 , 5F040EC09 , 5F040EC20 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040EF09 , 5F040EK05 , 5F040FA02 , 5F040FC11 , 5F040FC22 , 5F040FC28 , 5F048AA01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BG01 , 5F048BG14

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭58-148445
特開昭60-045053
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-356493 出願人：株式会社東芝

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