特許

J-GLOBAL ID：200903071405177650

半導体装置及び半導体装置へのオーム性接触の形成方法

発明者： フリードリッヒス、ペーター ,  ペータース、デタルト ,  シェルナー、ラインホルト
出願人/特許権者： サイスド エレクトロニクス デヴェロプメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-554000
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518832
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：

【要約】炭化ケイ素からなる少なくとも1つのp形の半導体領域(100)と、これに接して、オーム性接触を形成する少なくとも1つのp形の接触領域(110)とを備えた半導体装置において、このp形の接触領域(110)は少なくともニッケルとアルミニウムとを含む材料からなり、さらにこのp形の接触領域(110)の全体にわたってほぼ均一の材料組成を有する。少なくともニッケル及びアルミニウムを含む材料により、p形の炭化ケイ素にオーム性接触を形成する方法において、両材料成分は同時に被着される。

請求項（抜粋）：

a)炭化ケイ素からなる少なくとも1つのp形の半導体領域( 100)と、b)このp形の半導体領域(100)に接する少なくとも1つのp形の接触領域 (110)とを備え、c)このp形の接触領域(110)が第一の材料成分としてニッケルを、第二の 材料成分としてアルミニウムを含む材料からなり、d)このp形の接触領域(110)にはほぼ均一な材料組成が存在し、e)p形の半導体領域(100)及びp形の接触領域(110)に延在している 接合範囲(105)には、主としてp形の半導体領域(100)のケイ素及 び炭素並びにp形の接触領域(110)のニッケル及びアルミニウムが存在 しているオーム性接触を備えた半導体装置。

Fターム (11件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭素を含むIV族半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-207634   出願人：株式会社東芝