炭素を含むIV族半導体素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207634
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061475
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は低抵抗で良好なオーミック特性を示す電極を有する炭素を含むIV族半導体を形成することを目的とする。【構成】 SiC半導体層表面にオーミック接続したNi電極膜と、このNi電極膜上に形成されたAl電極膜を具備することを特徴とする半導体素子。【効果】高効率、高特性半導体素子を提供する事ができる。

請求項（抜粋）：

炭素を含むIV族半導体層と、この炭素を含むIV族半導体層表面に順次形成されたNi層及びAl層からなるオーミック電極とを具備することを特徴とする炭素を含むIV族半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/46 , H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭58-138027
特開平1-268121
特開昭49-052969

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