特許
J-GLOBAL ID：200903071409610650
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157812
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012969
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の発光出力を高め、さらに閾値電流を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】 インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層中にはn型不純物及び/又はp型不純物がドープされており、さらに前記レーザ素子の発光スペクトル中には縦モードの発光ピークとは異なる複数の発光ピークを有する。
請求項（抜粋）：
インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層中にはn型不純物及び/又はp型不純物がドープされており、さらに前記レーザ素子の発光スペクトル中には縦モードの発光ピークとは異なる複数の発光ピークを有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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