特許
J-GLOBAL ID：200903071410696347
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060419
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332729
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明はターンオフ損失を増大させることなくオン抵抗を低減できるIGBT構造、また、高温時でもターンオフ損失を減少できるIGBT構造を提供することを目的とする。【解決手段】 バイポーラモードで動作するトランジスタにおいて、Nバッファ層4の層厚を20μm〜40μm、好ましくは40μmとし、ピーク濃度を1×1015cm-3〜1×1016cm-3、好ましくは1×1016cm-3とする。Pエミッタ層5の層厚を5μm以下、好ましくは1μmとし、ピーク濃度を7×1017cm-3とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型のエミッタ層と、前記第1導電型のエミッタ層上に形成された第2導電型のバッファ層と、前記第2導電型のバッファ層上に形成された第2導電型のベース層と、前記第2導電型のベース層上部に選択的に形成された第1導電型のベース領域と、前記第1導電型のベース領域上部に選択的に形成された第2導電型のエミッタ領域と、前記第1導電型のベース領域をチャネル領域として、前記第2導電型のベース層と前記第2導電型のエミッタ領域との間を導通するためのゲート電極と、前記第1導電型のベース領域及び前記第2導電型のエミッタ領域上に形成されたエミッタ電極と、前記第1導電型エミッタ層の前記第2導電型のバッファ層形成面と反対の面上に形成されたコレクタ電極と、を有し、前記第2導電型のバッファ層のピーク濃度が1×1015cm-3乃至1×1016cm-3であり、前記第2導電型のバッファ層のピーク濃度と前記第1導電型のエミッタ層のピーク濃度との差が2桁以下であることを特徴とするバイポーラモードで動作する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78
H01L 29/78 655 B
, H01L 29/78 655 E
