特許
J-GLOBAL ID：200903071412747267
機能性粒子分散型薄膜とグラニュラー磁性薄膜およびそれらの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-251184
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097240
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基板上あるいは下地層上に結晶配向性を制御した状態でnmオーダーの微細粒子を分散形成できる技術の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、結晶配向性の良好な基材2上または結晶配向性の良好な下地層6上に、前記基材2または下地層6の結晶配向性に揃うように個々に基材2または下地層6に対してエピタキシャル成長された複数の種結晶粒子3が分散形成され、これら複数の種結晶粒子3の周囲に、これらの個々の種結晶粒子3を囲むように個々の種結晶粒子3に対してエピタキシャル成長されて形成された機能性粒子4が形成されてなることを特徴とする。そして、これらの機能性粒子4を覆って隔離層5を設けても良い。
請求項（抜粋）：
結晶配向性の良好な基材上または結晶配向性の良好な下地層上に、前記基材または下地層の結晶配向性に揃うように個々に基材または下地層に対してエピタキシャル成長された複数の種結晶粒子が分散形成され、これら複数の種結晶粒子の周囲に、これらの個々の種結晶粒子を囲むように個々の種結晶粒子に対してエピタキシャル成長されて形成された機能性粒子が形成されてなることを特徴とする機能性粒子分散型薄膜。
IPC (3件)：
H01F 10/14
, C30B 29/00
, C22C 38/00 303
H01F 10/14
, C30B 29/00
, C22C 38/00 303 S
