特許

J-GLOBAL ID：200903071465662026

半導体装置

発明者： 矢島 秀彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167049
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016948
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】半導体装置、特に液晶を駆動する装置の突起電極に関する。フェースダウンボンディングにおいて、半導体チップの出力端子側と入力端子側の突起電極の面積比が大きい場合、半導体チップが均一にガラス基板に実装されず、突起電極の密度が低いところでは半導体チップがへこむ、たわむといった現象が起きていた。【解決手段】任意の場所に半導体チップ内部との電気的接続を行わない突起電極を集積回路の上に絶縁膜を介して配置する。半導体内部との電気的接続を持たない突起電極5は、配線金属や外部接続端子との接触を持たず、絶縁保護膜7の上に配置されている。また半導体チップ内部との電気的接続を持たない突起電極13は、半導体チップ内部に電気的接続を持たない配線金属12の上に配置している。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に集積回路を有する半導体装置において、任意の場所に半導体チップ内部との電気的接続を行わない突起電極を前記集積回路の上に絶縁保護膜を介して配置し、ガラス基板への実装することを特長とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 29/44 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-211838
  
• 特開平1-185952
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-064902   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体装置とその組立方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-194509   出願人：富士通株式会社