特許
J-GLOBAL ID：200903071467066188
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070119
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283513
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 埋め込み性及び平坦性の両方に優れた絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】 下地表面をメタノールのような有機化合物を含む処理流体で処理する。次に、第1の絶縁膜を気相成長により形成する。次に、プラズマ処理を行なった後、第2の絶縁膜を同一の気相成長により形成する。この結果、埋め込み性及び平坦性の両方に優れた絶縁膜の形成方法を実現することができる。
請求項（抜粋）：
化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地表面を有機化合物を含む処理流体で処理し、この処理された下地表面に第1の絶縁膜を化学気相成長により形成し、次に第1の絶縁膜の表面にプラズマ処理を行ない、その後第2の絶縁膜を化学気相成長により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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