特許

J-GLOBAL ID：200903071489721589

半導体装置

発明者： 遠藤 幸一 ,  高橋 守郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-309663
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121863
出願日： 2004年10月25日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】 簡単な構成によりデッドタイムを小さくする。【解決手段】 ゲート電圧P4、P7の大きさを制御部100で制御してトランジスタQ1、Q2を交互に導通させる。制御部100は、前記トランジスタQ1が導通状態と非導通状態との間で切り替る時点の前後の切替期間において、ゲート電圧P7をトランジスタQ2の閾値電圧Vth2よりも小さい中間電圧Vmeanとなるように制御してトランジスタQ2に印加する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1制御電圧が印加される第1制御端子を備え前記第1制御電圧を変化させることにより導通状態と非導通状態との間で切り替る上側スイッチング素子と、 前記上側スイッチング素子と直列接続されると共に第2制御電圧が印加される第2制御端子を備え前記第2制御電圧を変化させることにより導通状態と非導通状態との間で切り替る下側スイッチング素子と、 前記第1制御電圧及び前記第2制御電圧の大きさを制御して前記上側スイッチング素子と前記下側スイッチング素子とを交互に導通させる制御部と を備え、 前記制御部は、 前記上側スイッチング素子が導通状態と非導通状態との間で切り替る時点の前後の切替期間において、前記第2制御電圧の絶対値を前記下側スイッチング素子の閾値電圧の絶対値よりも小さく基準電圧よりも大きい中間電圧となるように制御して前記第2制御端子に印加する ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H02M 3/155 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H02M3/155 H ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 G

Fターム (15件)：

5F038BG03 ,  5F038BH07 ,  5F038BH11 ,  5F038CD16 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ20 ,  5H730AA20 ,  5H730BB13 ,  5H730DD02 ,  5H730DD28 ,  5H730DD32 ,  5H730FF05 ,  5H730FG01 ,  5H730XX05 ,  5H730XX38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• コイル駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-326278   出願人：松下電器産業株式会社