特許
J-GLOBAL ID：200903071490914790
半導体モジュ-ル用の高電圧耐性を有する縁部構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264342
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101085
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体モジュールのための高電圧耐性を有する縁部構造を提供し、簡単化とスペースの節約とを達成して、再現性を有する高いブレークダウン電圧を保証する。【解決手段】 セルフィールドの縁部領域に配置されたソースゾーンの少なくとも一部がシェーディングされたソースゾーン領域を有しており、このシェーディングされたソースゾーン領域により、電荷キャリアによる逆方向電流がある場合に各ソースゾーンとベースゾーンとの間の寄生ダイオードの導通が抑圧される。
請求項（抜粋）：
並列に接続された複数の個別素子(EB)がセルフィールド(ZF)の複数のセル(Z1〜Z3)として配置されており、半導体基体(1)が設けられており、該半導体基体(1)内に配置される第1の導電型の少なくとも1つの内部ゾーン(2)が設けられており、該内部ゾーンは前記半導体基体(1)の第1の表面(3)に少なくとも部分的に接しており、前記内部ゾーン(2)に接する少なくとも1つのドレインゾーン(4)が設けられており、第2の導電型の少なくとも1つのベースゾーン(8)が設けられており、該ベースゾーンは前記第1の表面(3)において半導体基体(1)内へ埋め込まれており、第1の導電型の少なくとも1つのソースゾーン(9)が設けられており、該ソースゾーンはそれぞれのベースゾーン(8)内に埋め込まれている、半導体モジュール用の高電圧耐性を有する縁部構造体において、前記セルフィールド(ZF)の縁部領域(RB)に配置されたソースゾーン(9)の少なくとも一部がシェーディングされたソースゾーン領域(9’)を有しており、該シェーディングされたソースゾーン領域により、電荷キャリアによる逆方向電流(I1)がある場合に各ソースゾーン(9)とベースゾーン(8)との間の寄生ダイオード(D1)の導通が抑圧される、ことを特徴とする半導体モジュール用の高電圧耐性を有する縁部構造体。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 652 B
