熱処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小原肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189394
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086263
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】高アスペクト比であっても均一な成膜を行なってボイドを発生することなく被処理体表面を平坦化することができ、しかも不純物を混入させることなく電気的特性、機械的特性に優れた被膜を被処理体に形成する熱処理方法を提供する。【構成】本熱処理方法では、外部ヒータ(抵抗発熱体21)により加熱して600°Cまで昇温させた反応容器30内へ所定の反応性ガスを供給し、反応容器30内で熱処理ポート40により保持された25枚の半導体ウエハWに反応性ガスの反応生成物を堆積させてBPSG膜1を形成した後、反応性ガスを不活性ガスで置換して抵抗発熱体21により反応容器内を900°Cまで加熱してBPSG膜1を溶融して平坦化した後、600°Cまで反応容器30内を冷却し、更に連続して上記被膜形成工程、平坦化工程及び冷却工程を少なくとも1回行なう。

請求項（抜粋）：

外部ヒータにより加熱して所定の反応温度まで昇温させた反応容器内へ所定の反応性ガスを供給し、上記反応容器内で保持具により保持された複数の被処理体に反応性ガスの反応生成物を堆積させて被膜を形成した後、上記反応性ガスを不活性ガスで置換して上記外部ヒータにより上記反応容器内を所定温度まで加熱して上記被膜を溶融して平坦化した後、上記反応温度まで反応容器内を冷却し、更に連続して上記被膜形成工程、平坦化工程及び冷却工程を少なくとも1回行なうことを特徴とする熱処理方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-212958
特開平3-292724
特開昭63-088829

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