特許
J-GLOBAL ID:200903071496892348

広帯域光変調素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-013672
公開番号(公開出願番号):特開平9-211402
出願日: 1996年01月30日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】 電気光学効果を利用した広帯域光変調素子に関し、SiO2バッファ層の存在による変調効率の悪化を改善する。【解決手段】 光導波路2を備えたLiNbO3基板1上に、中心導体4とアース電極5からなるCPW電極を形成する。これを空気層6を形成するように凹部を設けた支持基板8で支持する。このためLiNbO3基板1を薄くでき、基板1両側の空気層によってマイクロ波の実効屈折率を低下させる。これにより電界を減少させるSiO2バッファ層が必要なくなり、駆動電圧を低くできる。
請求項(抜粋):
光導波路とマイクロ波を伝搬する進行波電極線路とを形成した電気光学材料基板と、前記光導波路及び進行波電極線路に対向する位置に凹部を形成した支持基板とを有し、前記電気光学材料基板は、前記支持基板との間に前記凹部による空気層が形成されるよう支持され、前記電気光学材料基板の他表面は空気中に開放されるよう構成したことを特徴とする広帯域光変調素子。
IPC (2件):
G02F 1/035 ,  G02B 6/12
FI (2件):
G02F 1/035 ,  G02B 6/12 J
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-219819
  • 導波形光デバイス
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-085819   出願人:日本電気株式会社
  • 特開昭63-234219

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