特許
J-GLOBAL ID：200903071509758808
窒化珪素系膜の成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-243914
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068470
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】熱負荷が小さく,水素濃度の低いプラズマ窒化珪素系膜を形成する方法を与える。【解決手段】真空排気された反応チャンバを有するプラズマCVD装置を使って被処理体上に窒化珪素系膜を成膜する方法。当該方法は,材料ガスとして所定の流量のモノシランガス(SiH4)及び窒素ガス(N2)を前記反応チャンバ内に導入する工程と,前記被処置体を所定の温度で熱処理する工程と,から成る。この時前記窒素ガスの流量が前記モノシランガスの流量の少なくとも100倍であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
真空排気された反応チャンバを有するプラズマCVD装置を使って被処理体上に窒化珪素系膜を成膜する方法であって,材料ガスとして所定の流量のモノシランガス(SH4)及び窒素ガス(N2)を前記反応チャンバ内に導入する工程と,前記被処置体を所定の温度で熱処理する工程と,から成り,前記窒素ガスの流量が前記モノシランガスの流量の少なくとも100倍であるところの方法。
Fターム (8件)：
5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BC11
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF30
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
