特許

J-GLOBAL ID：200903071513224958

化合物半導体製造装置

発明者： 倉持 晶
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-367219
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173417
出願日： 2005年12月20日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】均熱板を用いて基板に所望の温度分布を形成することを可能とする。【解決手段】化合物半導体製造装置は、基板2を収容するための開口7を持ったサセプタ3と、サセプタ3の開口7内に収容される基板2の裏面に接触させて基板2の温度分布を均一化させる均熱板1と、均熱板1を介して基板2を加熱する加熱手段とを備えて、加熱された基板2の表面に化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させるようになっている。この化合物半導体製造装置において、均熱板1に生じる温度分布の低くなる部分で接触させ、温度分布の高くなる部分で非接触とするよう、均熱板1を基板2の裏面に部分的に接触させるように構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を収容するための開口を持ったサセプタと、該サセプタの開口内に収容される前記基板の裏面に接触させて前記基板の温度分布を均一化させる均熱板と、該均熱板を介して前記基板を加熱する加熱手段とを備え、加熱された前記基板の表面に化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる化合物半導体製造装置において、 前記均熱板に生じる温度分布の低くなる部分で接触させ、温度分布の高くなる部分で非接触とするよう、前記均熱板を前記基板の裏面に部分的に接触させたことを特徴とする化合物半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L21/324 Q

Fターム (13件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AF01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP15 ,  5F045DP16 ,  5F045DP27 ,  5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 気相エピタキシャル成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-321177   出願人：日立電線株式会社