特許

J-GLOBAL ID：200903036753416994

気相エピタキシャル成長装置

発明者： 小森 洋介 ,  加古 学
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321177
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093505
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】基板面内の結晶の特性ばらつきが小さくなるように、均一に基板を加熱することのできる温度均熱板とサセプタの相対的構造を持った横型の気相エピタキシャル成長装置を提供すること。【解決手段】サセプタ1の開口7内に収納支持された基板2の裏側に重ねて設けられる温度均熱板4と、上記基板2、温度均熱板4およびサセプタ1を加熱するための加熱手段8とを備えた横型気相成長装置において、基板2を覆い被せる形状の温度均熱板4を基板2上に設置する。接触面部4aが基板2と同形状でありその上部に基板2を覆い被せる形状の均熱板部4bを有する温度均熱板4を基板2上に設置してもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

反応管内部に臨んで設けられると共に、基板の表側を反応管内に向けた状態で基板を収納し支持するための開口を有するサセプタと、このサセプタの開口内に収納支持された基板の裏側に重ねて設けられる温度均熱板と、上記基板、温度均熱板およびサセプタを加熱するための加熱手段とを備えた横型気相エピタキシャル成長装置において、 上記温度均熱板として、基板を覆い被せる形状の温度均熱板を基板上に設置したことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  C30B25/12

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  C30B25/12

Fターム (18件)：

4G077AA03 ,  4G077DB08 ,  4G077EG03 ,  4G077EG16 ,  4G077EG19 ,  4G077TE08 ,  4G077TF02 ,  4K030AA11 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA07 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA45 ,  4K030LA14 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EM03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 横型気相エピタキシャル成長方法及びその成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-245507   出願人：日立電線株式会社
• 酸化物ガラス薄膜の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288947   出願人：住友電気工業株式会社