特許

J-GLOBAL ID：200903071517831646

導体のための超薄単一相障壁層およびその製法

発明者： スティーブン・エイ・コーエン ,  フェントン・アール・マクフィーリー ,  ジェブデット・アイ・ノヤン ,  ケニス・ピイ・ロッドベル ,  ジョン・ジェイ・ユーカス ,  ロバート・ローゼンバーグ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117578
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330006
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ・キャパシタやダマシン配線レベルなどの相互接続構造において拡散障壁層として使用されるアルファW層を提供する。【解決手段】 このアルファW層は、タングステン・ヘキサカルボニルW(CO)6を原材料として使用した低温/低圧化学的気相付着プロセスによって形成された単相材料である。

請求項（抜粋）：

α相タングステン層をその上に有する第1材料からなる少なくとも1つの層と、前記α相タングステン層の上に形成された導体材料とを含む構造。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103283   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-158493   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置におけるメタルプラグの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087459   出願人：ソニー株式会社