特許
J-GLOBAL ID:200903071517863408
IDDQ測定ポイント抽出方法、及びIDDQ測定ポイント抽出装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-042500
公開番号(公開出願番号):特開2000-241492
出願日: 1999年02月22日
公開日(公表日): 2000年09月08日
要約:
【要約】【課題】既存のテストパターンを用いて解析効率のアップした信頼性の高いIDDQ測定ポイント抽出手法及びIDDQ測定ポイント抽出装置を提供することを目的とする。【解決工程】半導体製品の良品サンプル及び不良品サンプルについて、IDDQ測定を行い電流値を決定し、良品サンプルの前記電流値を用いて判定基準値を求め、不良品サンプルの各ポイントにおける前記電流値について前記判定基準値との比較を行い、前記判定基準値を超える前記電流値測定データのポイントを測定ポイントとして抽出することを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体製品の良品サンプル及び不良品サンプルについて、それぞれ複数のポイントでIDDQ測定を行い電流値を決定する工程と、前記良品サンプル及び不良品サンプルの前記電流値を測定サンプル毎、及び測定のポイント毎の電流値測定データとして蓄積する工程と、前記電流値測定データを用いて有効なIDDQ測定ポイントを抽出する工程と、を具備することを特徴とするIDDQ測定ポイント抽出方法。
IPC (2件):
FI (3件):
G01R 31/26 B
, G01R 31/26 G
, H01L 21/66 Y
Fターム (17件):
2G003AA07
, 2G003AB02
, 2G003AB05
, 2G003AF01
, 2G003AF02
, 2G003AF06
, 2G003AH01
, 2G003AH03
, 2G003AH04
, 2G003AH05
, 2G003AH10
, 4M106AA04
, 4M106BA14
, 4M106CA04
, 4M106CA70
, 4M106DH16
, 4M106DJ18
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
半導体集積回路試験方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-014206
出願人:株式会社東芝
-
特開平1-244380
審査官引用 (2件)
-
半導体集積回路試験方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-014206
出願人:株式会社東芝
-
特開平1-244380
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