特許

J-GLOBAL ID：200903071520933786

半導体装置

発明者： 塩原 利夫 ,  隅田 和昌 ,  井野 茂樹 ,  市六 信広
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206682
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036282
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、無機質充填剤の含有量が組成物全体の60重量%以上であると共に、成形温度における粘度が50ポイズ以下で、50メッシュのふるい上にゲル化残留物を実質的に含まない室温で液状又はペースト状のエポキシ樹脂組成物でトランスファー成形し封止したことを特徴とする半導体装置。【効果】 本発明の半導体装置によれば、室温で液状或いはペースト状で、特定粒度以上のゲル化残留物を実質的に含まないエポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形し封止することにより、成形時における金線の変形や未充填不良、ボイド不良のない信頼性の高い半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、無機質充填剤の含有量が組成物全体の60重量%以上であると共に、成形温度における粘度が50ポイズ以下で、50メッシュのふるい上にゲル化残留物を実質的に含まない室温で液状又はペースト状のエポキシ樹脂組成物でトランスファー成形し封止したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08L 63/00 NKB

FI (2件)：

H01L 23/30 R ,  C08L 63/00 NKB

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 樹脂封止型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-092375   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭63-160256