特許

J-GLOBAL ID：200903071536736050

ウエーハの分割方法

発明者： 中村 勝
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-368409
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173475
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】表面に低誘電率絶縁体被膜(Low-k膜)等が積層されたウエーハを所定のストリーに沿って確実に破断することができるウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】基板の表面に積層された積層体によってデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハのストリートに積層された積層体をストリートに沿って分断する積層体分断工程と、ウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側からストリートに沿って照射し、基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハをストリートに沿って分割する分割工程とを含む。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

基板の表面に積層された積層体によってデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、 ウエーハのストリートに積層された積層体をストリートに沿って分断する積層体分断工程と、 ウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側からストリートに沿って照射し、基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、 該変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハをストリートに沿って分割する分割工程と、を含む、 ことを特徴とするウエーハの分割方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  B28D 5/04

FI (3件)：

H01L21/78 B ,  H01L21/78 V ,  B28D5/04 Z

Fターム (7件)：

3C069AA01 ,  3C069AA02 ,  3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069EA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3408805号公報
  

審査官引用 (4件)

• 特開平4-249113
  
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-088323   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-350197   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-249113