特許
J-GLOBAL ID：200903013376752240

半導体装置の製造方法

発明者：
隈川 隆博

隈川 隆博 について

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内海 勝喜

内海 勝喜 について

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松島 芳宏

松島 芳宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-350197
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116844
出願日： 2003年10月09日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 半導体基板表面に半導体基板と異なる材料からなる表層が形成されていても、表層の欠けや剥がれを抑えながら、チッピングを少なくする。【解決手段】 半導体基板1の半導体素子が形成された面のスクライブライン2上に、半導体素子が形成された面側から、第一のレーザ光8aをスクライブライン表面に集光しながら走査し、溝を形成する工程と、スクライブライン2に沿って、第二のレーザ光8bを半導体基板1の内部に集光しながら走査し、多光子吸収による改質領域10を形成する工程とを含む。第一のレーザ光8aにより、スクライブライン2上に溝を形成することで、半導体基板1の表面状態に関わらず、表層の欠けや割れを抑え、第二のレーザ光8bで多光子吸収による改質領域10を形成した後の切断を容易にする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された半導体素子をスクライブラインに沿って分割する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の半導体素子が形成された面の前記スクライブライン上に、前記半導体素子が形成された面側から、第一のレーザ光を前記スクライブライン表面に集光しながら走査し、溝を形成する工程と、前記スクライブラインに沿って、第二のレーザ光を前記半導体基板の内部に集光しながら走査し、多光子吸収による改質領域を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/301 ,  B23K26/00
FI (4件)：
H01L21/78 L ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 320E ,  H01L21/78 B
Fターム (8件)：
4E068AA05 ,  4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA08 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068CD02 ,  4E068DA11
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
  • 窒化物半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345937   出願人：日亜化学工業株式会社
  • レーザ加工方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-277163   出願人：浜松ホトニクス株式会社
  • レーザ加工方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278768   出願人：浜松ホトニクス株式会社

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