特許

J-GLOBAL ID：200903071538744026

半導体発光素子、及びその製造方法

発明者： 山本 雅裕 ,  藤本 英俊 ,  国分 義弘 ,  石川 正行 ,  斎藤 真司 ,  西川 幸江 ,  ジョン・レニー
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235802
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330628
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】発光効率等の特性に優れた発光素子を提供する。【解決手段】六方晶系の基板(11)上に、平行四辺形の半導体層(12)を形成する。この平行四辺形は、その辺が<11-20>方向と平行である。基板(11)をこの平行四辺形の辺に沿って切断する。

請求項（抜粋）：

六方晶系の単結晶基板と、この単結晶基板上に積層された化合物半導体層と、この化合物半導体層に接する電極とを備えた半導体発光素子において、前記単結晶基板及び化合物半導体層がそれぞれ多角形の平面形状を有し、この多角形の内角のうち少なくとも1つが(60 ゚±3°)×n(nは自然数)であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/301 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/78 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041583   出願人：株式会社日立製作所